Samsung 32 Go 1x32 Go 5600 MHz CL46 ECC

Référence : M321R4GA3PB0-CWM
EAN : 5715328206830
État : Neuf
Prix : 2 561,34 €
TTC
Sans impôt: 2 134,45 €
  • Capacité de 32 Go en un seul module : 1 x 32 Go
  • Mémoire DDR5 à 5600 MHz avec latence CL46
  • ECC activé et mémoire Registered (buffered)
  • Format 288-pin DIMM, organisation des chips 2Rx8
  • Tension mémoire de 1,1 V, sans rétroéclairage

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Samsung 32 Go 1x32 Go 5600 MHz CL46 ECC

Ce module mémoire SAMSUNG (référence M321R4GA3PB0-CWM) offre une capacité de 32 Go réunie sur un seul module, avec une configuration 1 x 32 Go. Il repose sur la technologie DDR5 et fonctionne à une fréquence mémoire de 5600 MHz, avec une latence CL46.

Il s'agit d'un composant destiné aux serveurs. La mémoire ECC est activée et le module est de type Registered (buffered), ce qui le distingue clairement d'un module mémoire sans tampon. Son format est un 288-pin DIMM, avec une organisation des chips 2Rx8 et un classement mémoire de 2.

Côté alimentation, la tension mémoire est de 1,1 V, valeur caractéristique des modules DDR5. Le module ne dispose pas de rétroéclairage. Toutes les caractéristiques ci-dessous sont issues des données produit vérifiées : capacité, type, fréquence, latence, format, ECC, mémoire tamponnée, tension et organisation des chips.

Caractéristiques principales

  • Capacité mémoire interne de 32 Go
  • Configuration du module : 1 x 32 Go
  • Type de mémoire interne : DDR5
  • Fréquence mémoire : 5600 MHz
  • Latence : CL46
  • ECC : oui, avec mémoire Registered (buffered)
  • Format : 288-pin DIMM, organisation des chips 2Rx8 (classement mémoire 2)
  • Tension mémoire : 1,1 V, sans rétroéclairage
  • Composant destiné aux serveurs

Fiche technique

MarqueSAMSUNG
Référence (MPN)M321R4GA3PB0-CWM
Type de mémoire interneDDR5
Capacité mémoire interne32 Go
Configuration de la mémoire (modules x taille)1 x 32 Go
Fréquence mémoire5600 MHz
LatenceCL46
ECCOui
Type de mémoire à tamponRegistered (buffered)
Format mémoire288-pin DIMM
Classement mémoire2
Organisation des chips2Rx8
Tension mémoire1,1 V
RétroéclairageNon
Composant pourServeur
EAN5715328206830

Questions fréquentes

Ce module prend-il en charge l'ECC ?

Oui, la mémoire ECC est indiquée comme activée sur ce module. Il s'agit en outre d'une mémoire Registered (buffered).

Quelle est la capacité et la configuration de ce module ?

La capacité de mémoire interne est de 32 Go, répartie en un seul module : la configuration indiquée est 1 x 32 Go.

Quelle fréquence et quelle latence ce module utilise-t-il ?

La fréquence mémoire est de 5600 MHz et la latence est de CL46. Le type de mémoire est DDR5 et la tension mémoire est de 1,1 V.

Ce module est-il prévu pour un usage serveur ?

Oui, la donnée « composant pour » indique Serveur. Son format est un 288-pin DIMM et il est de type Registered (buffered), avec une organisation des chips 2Rx8.

Le module dispose-t-il d'un rétroéclairage ?

Non, la donnée relative au rétroéclairage indique « Non ».

C'est pour vous si...

  • Vous équipez un serveur et recherchez un module de 32 Go en un seul module.
  • Vous avez besoin de mémoire DDR5 à 5600 MHz avec une latence CL46.
  • Vous recherchez de la mémoire ECC Registered (buffered) au format 288-pin DIMM.
  • Vous souhaitez un module à tension mémoire de 1,1 V, sans rétroéclairage.

  • Marque
  • Référence
    M321R4GA3PB0-CWM
  • En stock
    2 Produits
  • État
    Neuf
  • EAN13
    5715328206830
  • MPN
    M321R4GA3PB0-CWM

  • Stockage
    32 GB

Marque SAMSUNG
Pays États-Unis
Adresse d'origine 100 Challenger Road, 6th Floor, Ridgefield Park, New Jersey 07660
Responsable dans l’UE Samsung Electronics Iberia, S.A
Adresse Parque Empresarial Omega, Edificio C, Avenida de Barajas, 32, 28108, Alcobendas, Madrid
E-mail [email protected]
Téléphone 34917143600

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