Samsung Mz-v9s1t0 1 To M.2 Pci Express 4.0 Nvme V-nand Tlc
Référence :
MZ-V9S1T0BW
EAN :
8806095575674
État :
Neuf
Prix :
232,95 €
TTC
Sans impôt:
192,52 €
Samsung MZ-V9S1T0. SSD, capacité : 1 To, Facteur de forme SSD : M.2, Vitesse de lecture : 7°150 Mo/s, Vitesse d à criture : 6°300 Mo/s, Composant pour : PC
SAMSUNG SSD 990 EVO PLUS 1 To, M.2 NVME
Facteur de forme du disque SSD : M.2
- SSD : 1 To
-Interface : PCI Express 4.0
- Type de mémoire : V-NAND TLC
-NVMe : Oui
- Composant pour : PC
- Cryptage matà riel : Oui
- Vitesse de lecture : 7150 Mo/s
- Vitesse d à criture : 6300 Mo/s
- Algorithmes de sécurité pris en charge : AES 256 bits
- Lecture alà atoire (4 Ko) : 850 000 IOPS
- à criture alà atoire (4 Ko) : 1 350 000 IOPS
- Temps moyen entre pannes : 1500000 h
-Version NVMe : 2.0
- Prise en charge SMART : Oui
- Prise en charge TRIM : Oui
- Largeur : 80,2 mm
- Profondeur : 2,38 mm
- Hauteur : 22,1 mm
- Poids : 9g
- Plage de température de fonctionnement : 0 - 70 °C
Spà cifications :
- Taille du SSD M.2 : 2280 (22 x 80 mm)Facteur de forme du disque SSD : M.2
- SSD : 1 To
-Interface : PCI Express 4.0
- Type de mémoire : V-NAND TLC
-NVMe : Oui
- Composant pour : PC
- Cryptage matà riel : Oui
- Vitesse de lecture : 7150 Mo/s
- Vitesse d à criture : 6300 Mo/s
- Algorithmes de sécurité pris en charge : AES 256 bits
- Lecture alà atoire (4 Ko) : 850 000 IOPS
- à criture alà atoire (4 Ko) : 1 350 000 IOPS
- Temps moyen entre pannes : 1500000 h
-Version NVMe : 2.0
- Prise en charge SMART : Oui
- Prise en charge TRIM : Oui
- Largeur : 80,2 mm
- Profondeur : 2,38 mm
- Hauteur : 22,1 mm
- Poids : 9g
- Plage de température de fonctionnement : 0 - 70 °C
| Marque | SAMSUNG |
|---|---|
| Pays | USA |
| Adresse d'origine | 100 Challenger Road, 6th Floor, Ridgefield Park, New Jersey 07660 |
| Responsable dans l’UE | Samsung Electronics Iberia, S.A |
| Adresse | Parque Empresarial Omega, Edificio C, Avenida de Barajas, 32, 28108, Alcobendas, Madrid |
| [email protected] | |
| Téléphone | 34917143600 |
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