Modulo di memoria PNY MN8GSD42666 8 GB 1 x 8 GB DDR4 260 pin SO-DIMM

Il modulo di memoria PNY MN8GSD42666 è progettato per notebook e sistemi compatti che richiedono moduli SO-DIMM. Con una capacità di 8 GB e frequenza DDR4-2666 MHz, offre prestazioni bilanciate per applicazioni quotidiane, multitasking e gaming leggero. La tensione di 1.2V garantisce efficienza energetica, riducendo il calore e prolungando la durata della batteria.

Grazie alla latenza CL19 e al design a singolo rank, questo modulo assicura compatibilità con la maggior parte delle piattaforme Intel e AMD recenti. Ideale per upgrade di memoria in laptop, mini PC e workstation, permette di eseguire più applicazioni contemporaneamente senza rallentamenti. La qualità costruttiva PNY garantisce affidabilità e stabilità nel tempo.