Gigabyte G440E500G 500 GB di memoria SSD M.2 NVMe PCIe Gen4 3600/3000MB/s senza DRAM
GIGABYTE Gen4 4000E 500GB M.2 NVMe SSD (G440E500G)
GIGABYTE Gen4 4000E è un'unità a stato solido M.2 NVMe ad alte prestazioni, progettata per sfruttare l'interfaccia PCIe 4.0 x4 per una maggiore velocità di trasferimento dati e una migliore reattività del sistema. Con una capacità di 500 GB, è un'eccellente unità di avvio o una soluzione di archiviazione ad alta velocità per i giochi e la creazione di contenuti. Grazie alla tecnologia Host Memory Buffer (HMB) e all'avanzata memoria flash 3D NAND, l'unità Gen4 4000E raggiunge velocità di lettura sequenziale fino a 4.000 MB/s mantenendo un'elevata efficienza energetica. Questa unità è progettata per garantire affidabilità e longevità, con un fattore di forma compatto M.2 2280 che si adatta perfettamente alle schede madri e ai portatili schede madri che si tratti di un aggiornamento da un'unità SATA o di una nuova configurazione con capacità Gen4, l'unità GIGABYTE Gen4 4000E offre un'esperienza di calcolo fluida, veloce e stabile.
Specifiche tecniche
* Capacità: 500 GB
* Interfaccia: PCIe 4.0 x4, NVMe 1.4
* Fattore di forma: M.2 2280
* NAND Flash: 3D NAND
* Velocità di lettura sequenziale: fino a 4.000 MB/s
* Velocità di scrittura sequenziale: fino a 3.000 MB/s
* Lettura casuale IOPS: Fino a 320K
* Scrittura casuale IOPS: Fino a 550K
* Resistenza (TBW): 160 TB
* Tempo medio tra i guasti (MTBF): 1,5 milioni di ore
* Consumo di energia (attivo): Media 2,2 W
* Temperatura di funzionamento: Da 0°C a 70°C
Caratteristiche principali
* Prestazioni PCIe 4.0: Offre una larghezza di banda significativamente superiore rispetto alle precedenti unità PCIe 3.0, con conseguenti tempi di caricamento dei giochi più rapidi, trasferimenti di file più veloci e un'esperienza del sistema operativo più scattante.
* Host Memory Buffer (HMB): utilizza la memoria del sistema per gestire in modo più efficiente le mappe di dati, offrendo prestazioni più elevate senza i costi aggiuntivi e il consumo energetico di un chip DRAM onboard dedicato.
* Efficienza energetica superiore: Ottimizzato per consumare meno energia anche durante le operazioni ad alta velocità, è la scelta ideale per prolungare la durata della batteria nei computer portatili senza sacrificare la velocità.
* Tecnologia 3D NAND: Impiega una memoria flash di alta qualità che fornisce una migliore densità e affidabilità, assicurando che i dati rimangano al sicuro durante l'uso a lungo termine dell'unità.
* Supporto GIGABYTE Control Center: Pienamente compatibile con la suite software di GIGABYTE, consente agli utenti di monitorare lo stato di salute dell'unità, la temperatura e gli aggiornamenti del firmware attraverso un'interfaccia intuitiva.
| Marca | GIGABYTE |
|---|---|
| Paese | Spain |
| Indirizzo di origine | Carrer de la Selva de Mar, 48, Sant Martí, 08019 Barcelona |
| Responsabile nell’UE | Gigabyte Technology B.V. |
| Indirizzo | Boeing Avenue 8, Schiphol-Rijk, Netherlands, 1119PB |
| [email protected] | |
| Telefono | 31206550200 |
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