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El módulo Samsung 16GB 1x16GB 5600MHz CL46 ECC es una memoria DDR5 diseñada para equipos servidor. Se presenta en un único módulo de 16 GB (diseño de memoria 1 x 16 GB), de modo que ocupa una sola ranura y permite planificar la configuración de memoria del sistema con total claridad desde el primer momento.
Su velocidad de memoria del reloj es de 5600 MHz y trabaja con una latencia CL46. Incorpora ECC (Sí) y su tipo de memoria con búfer es Registered (buffered), una combinación habitual en plataformas de servidor que buscan integridad de datos y estabilidad en cargas de trabajo continuadas.
El formato es 288-pin DIMM y el voltaje de memoria es de 1.1 V. La organización de los chips es 1Rx8 y la clasificación de memoria es 1. No incluye retroiluminación. Se identifica con la referencia M321R2GA3EB0-CWM de Samsung.
| Marca | SAMSUNG |
| Referencia | M321R2GA3EB0-CWM |
| EAN | 5715328199507 |
| Componente para | Servidor |
| Memoria interna | 16 GB |
| Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 16 GB |
| Tipo de memoria interna | DDR5 |
| Velocidad de memoria del reloj | 5600 MHz |
| Forma de factor de memoria | 288-pin DIMM |
| ECC | Sí |
| Tipo de memoria con búfer | Registered (buffered) |
| Clasificación de memoria | 1 |
| Organización de los chips | 1Rx8 |
| Latencia | CL46 |
| Voltaje de memoria | 1.1 V |
| Retroiluminación | No |
Incluye una memoria interna de 16 GB en un único módulo, con un diseño de memoria de 1 x 16 GB.
Sí. Según los datos del producto, incorpora ECC (Sí) y su tipo de memoria con búfer es Registered (buffered).
El voltaje de memoria indicado es de 1.1 V.
No. El producto no dispone de retroiluminación.
| Marca | SAMSUNG |
|---|---|
| País | USA |
| Dirección de origen | 100 Challenger Road, 6th Floor, Ridgefield Park, New Jersey 07660 |
| Entidad UE | Samsung Electronics Iberia, S.A |
| Dirección | Parque Empresarial Omega, Edificio C, Avenida de Barajas, 32, 28108, Alcobendas, Madrid |
| [email protected] | |
| Teléfono | 34917143600 |